隨著 NAND 快閃記憶體的積體尺寸不斷縮小,單一儲存單元所能儲存的位元數也越來越多,每一代新閃存對閃存控制器提出的錯誤校正要求也隨之提高。錯誤校正已成為閃存控制器最重要的任務之一。多年來,基於 Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)碼的錯誤校正方案一直是主流選擇。 然而,隨著高密度快閃記憶體的出現,快閃記憶體的錯誤率持續上升,控制器必須提升其錯誤校正能力。考量到成本、面積與功耗的限制,這項任務變得越來越困難。
目錄
糾錯碼的發展歷程
縮寫與概念
Bose-Chaudhuri-Hocquenghem 碼
低密度奇偶校驗碼
廣義串聯碼

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