NAND 快閃記憶體耐用性測試

快閃記憶體儲存單元的損耗取決於已進行的編程和擦除循環次數，以及這些循環進行的速度。

在快閃記憶體介質的典型使用壽命內，這些循環大多均勻分布於至少三年的時間內。 兩個循環之間的間隔時間足以讓隧道氧化層中的電荷脫陷，從而使快閃記憶體達到其規定的循環次數。如果循環時間異常短（特別是在資格測試中），則必須在兩個循環之間預留足夠的時間讓單元恢復，和／或必須提高溫度，以達到規定使用壽命。