《误差校正编码入门》

随着NAND闪存的集成尺寸不断缩小，单个存储单元能存储的比特数越来越多，每一代新闪存对闪存控制器提出的纠错要求也随之提高。纠错已成为闪存控制器最重要的任务之一。多年来，基于Bose-Chaudhuri-Hocquenghem（BCH）码的纠错方案一直是主流选择。然而，随着高密度闪存的出现，闪存的错误率持续上升，控制器必须提升其纠错能力。考虑到成本、面积和功耗的限制，这一任务变得越来越困难。