NANDフラッシュメモリの集積度が向上し、1セルあたりに格納できるビット数が増えるにつれ、フラッシュメモリコントローラに対するエラー訂正の要件は、フラッシュメモリの世代が進むごとに高まっています。エラー訂正は、フラッシュメモリコントローラの最も重要な役割の一つとなっています。長年にわたり、Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)コードに基づくエラー訂正が主流でした。 しかし、高密度化が進むにつれてフラッシュのエラー率が上昇し続ける中、コントローラのエラー訂正能力を向上させる必要が生じている。コスト、面積、消費電力の制約を考慮すると、これはますます困難な課題となっています。
本レポートでは、以下の内容について解説します:
誤り訂正符号の歴史
略語と概念
ボーズ・チャウドゥリー・ホッケンヘム符号
低密度パリティチェック符号
一般化連結符号

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