Enterprise E1.S PCIe SSD
D2200 E1.S
- Enterprise SSD E1.S (9,5mm)
- PCIe Gen 5 x4 lanes, NVMe 2,0b Schnittstelle
- Verfügbar mit 7,68 TB und 15,4 TB
- Sequential Read bis zu 14.000 MB/s Read und 10.000 MB/s Write
- Random Read bis zu 2.600 kIOPS Read und 510 kIOPS Write
- Endurance 1.5 DWPD, JEDEC enterprise workload bei Laufzeit von 5 Jahren
- Unterstützung bis zu 128 Namespaces, EUI64/NGUID
- Powersafe: Power Fail Protection
- Security und Verschlüsselung: AES-XTS 256, Crypto Erase, Secure Boot
N5200 E1.S
- Enterprise SSD E1.S (Gehäuse in 5,9mm/9,5mm/15mm verfügbar)
- PCIe Gen 4x4 lanes, NVMe 1,4 Schnittstelle
- Verfügbar mit 1,92TB, 3,84TB and 7,68TB
- Sequential Read bis zu 7.100 MB/s und Sequential Write bis zu 4.200 MB/s write
- Random Read bis zu 1.150 kIOPS und Random Write bis zu 950 kIOPS
- Endurance 1.5 DWPD, JEDEC enterprise workload bei Laufzeit von 5 Jahren
- Unterstützung bis zu 128 "multi-namespaces"
- Powersafe: Power Fail Protection
- Security und Verschlüsselung: TCG OPAL 2.01 / AES256
Die Gen5 PCIe SSD-Familie D2200 ist ausgerichtet auf Enterprise-Server und Edge Datacenter und bietet herausragende Performance mit minimaler Latenz. Die Serie zeichnet sich zudem durch ihre hohe Energieeffizienz aus und erreicht bis zu 970 MB/s pro Watt für sequenzielles Lesen. Das wirkt sich auch auf das Wärmemanagement aus: Durch optimiertes Hardware-Design und Firmware-Verbesserungen reduziert die D2200 die Wärmeentwicklung eines Servers um bis zu 20°C. Als PCI Gen5 SSD, abwärtskompatibel mit PCIe Gen4, unterstützt die Serie NVMe 2.0 und OCP 2.0 und punktet in Sachen Zukunftssicherheit. Durch unser Engagement für herausragenden Kundenservice gewährleisten wir zudem eine nahtlose Integration und maßgeschneiderten Support, abgestimmt auf Ihre Anforderungen.
Die N5200 Gen4 PCIe E1.S SSD ist optimiert, um den Bedarf an immer fortschrittlicherem Speicher für Unternehmens- und Edge-Rechenzentren zu decken. Die Hochleistungs-SSD liefert eine niedrige KIOPS/Watt-Performance und unterstützt gleichzeitig ein hervorragendes "Quality of Service". Darüber hinaus unterstützt das N5200 eine Vielzahl von Funktionen für moderne Unternehmensrechenzentren, darunter hardwarebasierte Security, Telemetrie, Datenpfad- und Stromausfallschutz. Dies macht es zur idealen Wahl für leistungsstarke Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit, Haltbarkeit und Skalierbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.
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Series Name |
D2200 E1.S |
N5200 E1.S |
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Standard & Interface |
PCIe Gen 5.0 / NVMe 2.0b, x4 lanes |
PCIe Gen 4.0 / NVMe 1.4, x4 lanes |
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Package |
E1.S |
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| Connector |
SFF-TA-1006 E1.S |
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Outline Dimensions (L x W x H) |
111.25mm x 33.7mm x 9.5mm | 111.25mm x 33.7mm x 5.5/9.5/15mm |
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Flash Type |
3D NAND eTLC |
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Density Range |
7.68 TB, 15.4 TB |
1.92 TB, 3.84 TB, 7.68 TB |
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Endurance [DWPD] |
1.5 for 5 years |
1.5 for 5 years |
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Operating Temperature |
0°C to +70°C |
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Storage Temperature |
-40°C to +85°C |
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Performance |
Sequential data rates of up to 14.000 MB/s read and 10,000 MB/s write (sustained)
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Sequential data rates of up to 7.100 MB/s read and 4,200 MB/s write (sustained)
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Voltage |
VCC: 12V (+/-10%) |
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Average Power |
19.5 W | 14.5 W |
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DRAM |
DDR4 DRAM |
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MTBF |
> 2,000,000 hours |
> 2,500,000 hours |
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Data Reliability |
< 1 sector per 10^17 bits |
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| Features & Tools |
powersafe™ Functionality |
OCP NVMe Cloud SSD Specification 1.0 support |
M.2 PCIe SSD
N3000
- M.2-Formfaktor 2280 & 2242
- PCIe Gen4 / NVMe 1.4 / vier Lanes
- Industrietaugliches 3D-NAND TLC
- Temperaturbereiche maximal von -40 °C bis 85 °C
- Hohe Datenrate
- AES256-Verschlüsselung / TCG Opal 2.0
- Kryptographisches Löschen / IEEE 1667
N3002
- M.2-Formfaktor 2280
- Powersafe
- PCIe Gen4 / NVMe 1.4 / vier Lanes
- Industrietaugliches 3D-NAND TLC
- Temperaturbereiche maximal von -40 °C bis 85 °C
- Hohe Datenrate
- AES256-Verschlüsselung / TCG Opal 2.0
- Kryptographisches Löschen / IEEE 1667
N3202
- M.2-Formfaktor 2280
- Powersafe
- PCIe Gen4 / NVMe 1.4 / vier Lanes
- 3D-NAND TLC mit hoher
Endurance - Temperaturbereiche maximal von 0 °C bis 75 °C
- Hohe Datenrate
- AES256-Verschlüsselung / TCG Opal 2.0
- Kryptographisches Löschen / IEEE 1667
N2000 / N2600
- M.2-Formfaktor 2280 bis 2230
- PCIe Gen3.1 / NVMe 1.3 / vier Lanes
- DRAM lose SSD mit HMB Unterstützung
- 3D-NAND TLC / pSLC mit hoher Kapazität
- Temperaturbereiche maximal von -40 °C bis 85 °C
- Datenpflegemanagement
- AES256-Verschlüsselung
- Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
Die PCIe-Schnittstelle mit NVMe-Protokoll ist zum neuen Standard für Verbraucher-, Unternehmens- und eingebettete Anwendungen geworden. Obwohl alle drei dieselbe SSD-Architektur verwenden, unterscheiden sich die individuellen Anforderungen erheblich. Während hohe Kapazität und Geschwindigkeit für Client- und Unternehmensanwendungen am wichtigsten sind und vom Markt adressiert werden, stellt die daraus resultierende Wärmeentwicklung eine große Herausforderung für eingebettete Anwendungen dar.
Die Notwendigkeit, den neuen Schnittstellenstandard zu übernehmen und dennoch nur geringe Kapazitäten zu benötigen, erfordert spezielle Produkte. Schutz vor Datenverlust bei Stromausfall ist eine starke Anforderung für eingebettete und Unternehmensanwendungen.
Für Industrie- und Embedded-Märkte adressiert Swissbit diese unterschiedlichen Anforderungen mit dem N-20m2 / N2000 mit HMB-Unterstützung, geringem Stromverbrauch nd kleinen Formfaktoren sowie mit den leistungsstarken N3002 und N-30m2 mit Powersafe™-Hardware-Stromausfallschutz. Sie verfügen über Temperature- und Datenpflegemanagement und verschiedene Sicherheitsoptionen. Beide Serien sind auch in pSLC-Varianten mit stark erhöhter Ausdauer erhältlich. Der N3202 powersafe™ ist für NetCom- und Unternehmensanwendungen optimiert, die eine Beständigkeit der Enterprise-Klasse mit einem starken Swissbit-typischen Werteset erfordern.
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Series Name |
N-20m2 / N-26m2 |
N3000 |
N3002 / N3602 |
N3202 |
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Standard & Interface |
PCIe 3.1 / NVMe 1.3 |
PCIe 4.0 / NVMe 1.4 |
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Package |
PCIe M.2 |
PCIe M.2 |
PCIe M.2 |
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Connector |
75 pos. Edge Connector |
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Outline Dimensions |
80, 42, 30 x 22 x 3.5 mm | 80, 42 x 22 x 3.58 mm | 80 x 22 x 3.58 mm | |
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Flash Type |
3D NAND TLC / 3D NAND pSLC |
high endurance |
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Density Range |
TLC: 15 GB - 480 GB |
TLC: 240 GB – 3,840 GB pSLC: 80 GB – 320 GB |
TLC: 240 GB – 3,840 GB | |
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Data Retention |
10 years @ life begin |
3 years @ life begin |
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Endurance [DWPD] |
N-2x: max. 1.8 / 54 |
max 1.34 |
max 1.34 / 15.3 |
max 1.5 DWPD |
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Operating Temperature |
N-2x: |
Industrial: -40°C to +85°C |
Commercial: 0°C to +70°C |
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Storage Temperature |
-40°C to +85°C |
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Performance Sequential Read (MB/s) |
up to 1,775 / 1,780 |
up to 3,850 / 3,850 |
up to 3,850 |
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Voltage |
VCC: 2.70 – 3.60 |
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DRAM |
HMB support |
DRAM support |
DRAM support |
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| Features & Tools | Active and Passive Data Care Management AES 256 / E2E Data Path Protection FW Power Fail Data Loss Protection Active State Power Management (ASPM) Support TCG OPAL 2.0 Swissbit Device Manager (SBDM) Tool and SDK for SBDM(on request) |
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Features
Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.
Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.
Products with the Swissbit powersafe feature use reliable tantalum capacitors to store energy so that in case of a sudden power fail the charge will be used to harden the cache content into the NAND flash.
Robustness is one of our key specification targets. The design, assembly and use of selected materials guarantee an extremely solid design which has been validated by extensive testing.
The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.
The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.
The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.
Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.
Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).