M.2 PCIE
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N-10m2
- M.2-Formfaktor 2280
- PCIe Gen3 / NVMe 1.2 mit zwei Lanes
- DRAM-unterstützter FTL
- Industrietaugliches 3D-NAND
- Temperaturbereiche maximal von -40 °C bis 85 °C
- Datenpflegemanagement
- AES256-Verschlüsselung
- Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
N-12m2
- M.2-Formfaktor 2280
- PCIe Gen3 / NVMe 1.2 mit zwei Lanes
- Industrietaugliches 3D-NAND
- Temperaturbereiche maximal von -40 °C bis 85 °C
- Datenpflegemanagement
- AES256-Verschlüsselung
- Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
Obwohl SATA in Embedded- und NetCom-Systemen immer noch die vorherrschende Schnittstelle ist, gehört die Zukunft PCIe. PCIe überwindet die Bandbreitenbeschränkungen von SATA und bietet flexible Lösungen mit mehreren Lanes, die miteinander kombiniert werden können.
Eine wichtige Innovation, mit der sich die Leistung steigern lässt, ist das neue Protokoll NVMe, das speziell für nichtflüchtigen Speicher entwickelt wurde. Effizientere Befehle verringern die Latenz von Lese- und Schreibanforderungen erheblich.
Bei höherer Leistung kommt es auch zu einem höheren Stromverbrauch, insbesondere bei der üblichen Konfiguration mit 4 Lanes.
Das N-10m2-Modul von Swissbit mit PCIe Gen3 und NVMe 1.2 verwendet PCIe mit nur 2 Lanes. Dadurch reduziert sich der Stromverbrauch, ohne dass die Leistung abnimmt. Selbst PCIe mit einer einzigen Lane übertrifft immer noch die Leistungsgrenzen von SATA.
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Name der Produktreihe |
N-10m2 |
N-12m2 |
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Standard und Schnittstelle |
PCI Express (PCIe), Spezifikationsversion 3.1/NVMe 1.2 |
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Package |
PCI Express® M.2 (2280) |
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Anschluss |
Kantensteckverbinder mit 75 Pos. B+M-Key |
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Äußere Abmessungen |
22 x 80 x 3,6 mm | |
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Flash-Typ |
3D-NAND |
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Angebotene Speicherdichten |
120 GB – 960 GB |
30 GB – 240 GB |
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Datenstabilität |
10 Jahre bei Beginn der Lebensdauer 1 Jahr bei Ende der Lebensdauer |
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Belastbarkeit |
3.000 P/E-Zyklen (auf Ebene der Flash-Zellen) |
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Betriebstemperatur |
Kommerziell: 0 °C bis +70 °C / Industrie: -40 °C bis +85 °C |
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Lagertemperatur |
-40 °C bis +85 °C |
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Leistung Sequentielles Lesen (MBit/s) Sequentielles Schreiben (MBit/s) Lesen verteilter Daten, 4 KB (IOPS) Schreiben verteilter Daten, 4 KB (IOPS) |
bis zu 1.600 bis zu 1.000 bis zu 190.000 bis zu 190.000 |
bis zu 1.550 bis zu 850 bis zu 90.000 bis zu 120.000 |
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Spannung |
VCC: 2,70 – 3,60 |
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Stromverbrauch |
i. d. R. 688 mA max. 1000 mA |
noch festzulegen |
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DRAM |
DRAM-unterstütztes FTL |
Keine DRAM-Unterstützung |
| Funktionen und Tools |
Dynamische und statische Verteilung der Schreibzugriffe, dynamische Neuanordnung fehlerhafter Blöcke Aktives und passives Datenpflegemanagement Integrierter Stromausfallschutz Unterstützung für Active State Power Management (ASPM) Unterstützung von NVMe-Sicherheitsbefehlen Firmware-Aktualisierung am Einsatzort System für Selbstüberwachung, Analyse und Statusmeldung (Advanced Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology, S.M.A.R.T.) AES256-Verschlüsselung (auf Anfrage) |
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Teilenummer |
SFPCxxxGMvAGxss-x-dd-rrr-ccc |
SFPCxxxGMvAJxss-x-dd-rrr-ccc |
Product Features
Data Care Management
Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.
Life time monitoring (LTM)
The Swissbit Life Time Monitoring feature enables users to access the memory device’s detailed Life Time Status and allows prediction of imminent failure, avoiding unexpected data loss. This feature uses an extended S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) interface or vendor-specific commands to retrieve the Flash product information.
Power fail protection
Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.
Secure erase (Sanitize / Purge) / Fast erase
This feature uses an uninterruptable sequence of data erase commands. Even a power off can’t stop the process, which will continue upon restoration of power. The optional enhanced feature allows the customer to sanitize the data according to different standards like DoD, NSA, IREC, etc. The purge algorithm can be started by a software command or through a hardware pin.
Shock and vibration
Robustness is one of our key specification targets. The design, assembly and use of selected materials guarantee an extremely solid design which has been validated by extensive testing.
Temperature sensor
The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.
Trim support
The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.
WAF reduction
The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.
Wear leveling
Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.
Wide temperature support
Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).