Enterprise E1.S PCIe SSD


Die Gen5 PCIe SSD-Familie D2200 ist ausgerichtet auf Enterprise-Server und Edge Datacenter und bietet herausragende Performance mit minimaler Latenz. Die Serie zeichnet sich zudem durch ihre hohe Energieeffizienz aus und erreicht bis zu 970 MB/s pro Watt für sequenzielles Lesen. Das wirkt sich auch auf das Wärmemanagement aus: Durch optimiertes Hardware-Design und Firmware-Verbesserungen reduziert die D2200 die Wärmeentwicklung eines Servers um bis zu 20°C. Als PCI Gen5 SSD, abwärtskompatibel mit PCIe Gen4, unterstützt die Serie NVMe 2.0 und OCP 2.0 und punktet in Sachen Zukunftssicherheit. Durch unser Engagement für herausragenden Kundenservice gewährleisten wir zudem eine nahtlose Integration und maßgeschneiderten Support, abgestimmt auf Ihre Anforderungen.

Die N5200 Gen4 PCIe E1.S SSD ist optimiert, um den Bedarf an immer fortschrittlicherem Speicher für Unternehmens- und Edge-Rechenzentren zu decken. Die Hochleistungs-SSD liefert eine niedrige KIOPS/Watt-Performance und unterstützt gleichzeitig ein hervorragendes "Quality of Service". Darüber hinaus unterstützt das N5200 eine Vielzahl von Funktionen für moderne Unternehmensrechenzentren, darunter hardwarebasierte Security, Telemetrie, Datenpfad- und Stromausfallschutz. Dies macht es zur idealen Wahl für leistungsstarke Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit, Haltbarkeit und Skalierbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Series Name

D2200 E1.S

N5200 E1.S

Standard & Interface

PCIe Gen 5.0 / NVMe 2.0b, x4 lanes

PCIe Gen 4.0 / NVMe 1.4, x4 lanes

Package

E1.S

Connector

SFF-TA-1006 E1.S

Outline Dimensions (L x W x H)

111.25mm x 33.7mm x 9.5mm 111.25mm x 33.7mm x  5.5/9.5/15mm

Flash Type

3D NAND eTLC

Density Range

7.68 TB

1.92 TB, 3.84 TB, 7.68 TB

Endurance [DWPD]
Enterprise Workload

1 for 5 years

1.5 for 5 years

Operating Temperature

0°C to +70°C

Storage Temperature

-40°C to +85°C

Performance

Sequential data rates of up to 14.000 MB/s read and 10,000 MB/s write (sustained)


Random data rates up to 2,600 KIOPS read and 500 KIOPS write (sustained)

Sequential data rates of up to 7.100 MB/s read and 4,200 MB/s write (sustained)


Random data rates up to 1,150 KIOPS read and 950 KIOPS write (sustained)

Voltage

VCC: 12V (+/-10%)

Average Power
Mixed Rd/Wr

19.5 W 14.5 W

DRAM

DDR4 DRAM

MTBF

> 2,000,000 hours

> 2,500,000 hours

Data Reliability

< 1 sector per 10^17 bits

Features & Tools

powersafeFunctionality
Full Data Path Protection
S.M.A.R.T
Flexible Power Management
Hot Pluggable
TRIM
Multi-namespace support up to 128
AES-XTS 256 Data Encryption & Crypto Erase
EUI64/NGUID
Support NVMe-MI 1.2b, support
MCTP over SMBus
Firmware Upgrade without Reset
Timestamp
Telemetry
Weighted Round Robin (WRR)
Persistent Event Log
Secure Download
Secure Boot

OCP NVMe Cloud SSD Specification 1.0 support
Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology (S.M.A.R.T., Telemetry)
T10 DIF/DIX Vital Product Data (VPD) over SMBus Supported
Security and encryption: TCG OPAL 2.01 / AES256
Secure Boot
Crypto Erase
ECDSA-256 FW Image Authentication Supported
End to end path protection
NVMe Management Interface Basic Management Command
Multi-namespace support up to 128
Powersafe power fail protection

M.2 PCIe SSD


Die PCIe-Schnittstelle mit NVMe-Protokoll ist zum neuen Standard für Verbraucher-, Unternehmens- und eingebettete Anwendungen geworden. Obwohl alle drei dieselbe SSD-Architektur verwenden, unterscheiden sich die individuellen Anforderungen erheblich. Während hohe Kapazität und Geschwindigkeit für Client- und Unternehmensanwendungen am wichtigsten sind und vom Markt adressiert werden, stellt die daraus resultierende Wärmeentwicklung eine große Herausforderung für eingebettete Anwendungen dar.

Die Notwendigkeit, den neuen Schnittstellenstandard zu übernehmen und dennoch nur geringe Kapazitäten zu benötigen, erfordert spezielle Produkte. Schutz vor Datenverlust bei Stromausfall ist eine starke Anforderung für eingebettete und Unternehmensanwendungen.

Für Industrie- und Embedded-Märkte adressiert Swissbit diese unterschiedlichen Anforderungen mit dem N-20m2 / N2000 mit HMB-Unterstützung, geringem Stromverbrauch nd kleinen Formfaktoren sowie mit den leistungsstarken N3002 und N-30m2 mit Powersafe™-Hardware-Stromausfallschutz. Sie verfügen über Temperature- und Datenpflegemanagement und verschiedene Sicherheitsoptionen. Beide Serien sind auch in pSLC-Varianten mit stark erhöhter Ausdauer erhältlich. Der N3202 powersafe™ ist für NetCom- und Unternehmensanwendungen optimiert, die eine Beständigkeit der Enterprise-Klasse mit einem starken Swissbit-typischen Werteset erfordern.

Series Name

N-20m2 / N-26m2
N2000 / N2600

N-30m2 (P) / N-36m2 P

N3000

N3002 / N3602

N3202

Standard & Interface

PCIe 3.1 / NVMe 1.3
x4 lanes

PCIe 3.1 / NVMe 1.4
x4 lanes

PCIe 4.0 / NVMe 1.4
x4 lanes

Package

PCIe M.2
(2280 to 2230)

PCIe M.2
(2280, 2242)

PCIe M.2
(2280, 2242)

PCIe M.2
(2280)

Connector

75 pos. Edge Connector
M key

Outline Dimensions

80, 42, 30 x 22 x 3.5 mm 80, 42 x 22 x 3.58 mm 80 x 22 x 3.58 mm

Flash Type

3D NAND TLC / 3D NAND pSLC

high endurance
3D NAND TLC

Density Range

TLC: 15 GB - 480 GB
pSLC: 5 GB - 160 GB

TLC: 240 GB – 3,840 GB
pSLC: 80 GB – 320 GB
TLC: 240 GB – 3,840 GB
pSLC: 80 GB – 320 GB
TLC: 240 GB – 3,840 GB

Data Retention

10 years @ life begin
1 year @ life end

3 years @ life begin
4 months @ life end

Endurance [DWPD]

N-2x:   max. 1.8 / 54
N2x00: max. 2.1 / 79

max. 1.34 / 36

max 1.34

max 1.34 / 15.3

max 1.5 DWPD
at Enterprise WL

Operating Temperature

N-2x:
Commercial: 0°C to +70°C
Industrial: -40°C to +85°C

N2x00 only Industrial

Industrial: -40°C to +85°C

Commercial: 0°C to +70°C

Storage Temperature

-40°C to +85°C

Performance

Sequential Read (MB/s)
Sequential Write (MB/s)
Random 4KB Read (IOPS)
Random 4KB Write (IOPS)

 

up to 1,775 / 1,780
up to 864 / 867
up to 140,000 / 140,000
up to 134,000 / 136,000

 

up to 3,500 / 3,500
up to 3,100 / 3,000
up to 380,000 / 380,000
up to 520,000 / 540,000

 

up to 3,850 / 3,850
up to 3,360 / 3,360
up to 461,300 / 461,300
up to 380,000 / 380,000

 

up to 3,850
up to 3,360
up to 461,300
up to 380,000

Voltage

VCC: 2.70 – 3.60

DRAM

HMB support

DRAM support
HW powersafe™ on 2280 (P)

DRAM support

DRAM support
HW powersafe™

Features & Tools Active and Passive Data Care Management
AES 256 / E2E Data Path Protection
FW Power Fail Data Loss Protection
Active State Power Management (ASPM) Support
TCG OPAL 2.0
Swissbit Device Manager (SBDM) Tool and SDK for SBDM(on request)

Features

Data care management
Data Care Management

Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.

Power Fail Protection & Recovery
Power fail protection

Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.

Power fail protection PLUS

Products with the Swissbit powersafe feature use reliable tantalum capacitors to store energy so that in case of a sudden power fail the charge will be used to harden the cache content into the NAND flash.

Shock & Vibration
Shock and vibration

Robustness is one of our key specification targets. The design, assembly and use of selected materials guarantee an extremely solid design which has been validated by extensive testing.

Temperature sensor
Temperature sensor

The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.

TRIM support
Trim support

The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.

Write Amplification Factor
WAF reduction

The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.

Wear leveling
Wear leveling

Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.

Wide temperature support
Wide temperature support

Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).