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e.MMC

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EM-30 / EM-36 e.MMC 5.0

  • e.MMC JEDEC 5.1 Standard (JESD84-B50)
  • 153 Ball BGA, Rastermaß 0,5 mm
  • 11,5 x13 mm
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Mehrere Partitionen in 3D TLC und pSLC konfigurierbar (EM-30)
  • Im 100%-pSLC vorkonfiguriert (EM-36)
  • Unterstützung von Hochleistungs-e.MMC 5.1
  • Lesestörungsmanagement
  • Stromausfallschutz
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EM-20 / EM-26 e.MMC 5.0

  • e.MMC JEDEC 5.0 Standard (JESD84-B50)
  • 153 Ball BGA, Rastermaß 0,5 mm
  • 11,5 x13 mm
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Mehrere Partitionen in MLC und pSLC konfigurierbar (EM-20)
  • Im 100% pSLC vorkonfiguriert (EM-26)
  • Unterstützung von Hochleistungs-e.MMC 5.0
  • Lesestörungsmanagement
  • Stromausfallschutz
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BGAs mit Managed NAND sind der kleinste Formfaktor, mit dem sich zuverlässige und schnittstellenfreundliche Datenspeicher in ein System integrieren lassen.
Swissbit bietet hierfür die e.MMC-Versionen EM-20 nach JEDEC 5.0 Standard und die neue EM-30 gemäss 5.1 Standard.
Alle Swissbit e.MMC Produkte sind zuverlässige und haltbare Speichermedium mit einem wahrhaft industrietauglichen Betriebstemperaturbereich und einem detaillierten Lebensdauer-Monitoring.

Name der Produktreihe

EM-30

EM-36

EM-20

EM-26

 

JEDEC e.MMC 5.1

JEDEC e.MMC 5.0

Schnittstelle

Datenübertragungsmodus

e.MMC 1-Bit, 4-Bit, 8-Bit bis zu HS400

Package

153 Ball BGA, Rastermaß 0,5 mm
Optional:
100 Ball BGA, Rastermaß 1,0mm

153 Ball BGA, Rastermaß 0,5 mm

Maximale äußere Abmessungen

11,5 mm x 13,0 mm x 1.2 mm

Flash-Typ

3D TLC

3D pSLC

MLC

pSLC

Angebotene Speicherdichten

16 GB bis 256 GB

5 GB bis 80 GB

4 GB bis 64 GB

2 GB bis 32 GB

Datenstabilität

10 Jahre bei Beginn der Lebensdauer
1 Jahr bei Ende der Lebensdauer

Belastbarkeit

3.000 P/E-Zyklen im TLC-Modus
30.000 P/E-Zyklen im erweiterten Modus
(auf Ebene der Flash-Zellen)

3.000 P/E-Zyklen im MLC-Modus
20.000 P/E-Zyklen im erweiterten Modus
(auf Ebene der Flash-Zellen)

Betriebstemperatur

-40°C bis +85°C

Lagertemperatur

-40°C bis +85°C

Geschwindigkeit

Sequentielles Lesen (MBit/s)

Sequentielles Schreiben (MBit/s)

Lesen verteilter Daten, 4 KB (IOPS)

Schreiben verteilter Daten, 4 KB (IOPS)

 

bis zu 300

bis zu 230

bis zu 39.500

bis zu 41.500

 

bis zu 300

bis zu 230

bis zu 39.500

bis zu 41.500

 

bis zu 175

bis zu 21

bis zu 3.800

bis zu 1.400

 

bis zu 240

bis zu 120

bis zu 6.700

bis zu 6.700

Spannung

VCCQ: 1,70–1,95 V / 2,70–3,60 V; VCC: 2,70–3,60

Stromverbrauch

Stromstärke beim Lesen i. d. R.: 140 mA bei 1,8 V VCCQ, 105 mA bei 3,3 V VCC

Stromstärke beim Schreiben i. d. R. 100 mA bei 1,8 V VCCQ, 105 mA bei 3,3 V VCC

 

Stromstärke beim Lesen i. d. R.: 180 mA bei 1,8 V VCCQ, 38 mA bei 3,3 V VCC

Stromstärke beim Schreiben i. d. R. 105 mA bei 1,8 V VCCQ, 80 mA bei 3,3 V VCC

Funktionen und Tools

Hohe Leistung bis HS400-Modus
Ausgeklügelte Verteilung der Schreibzugriffe und Lesestörungsmanagement
Befehls-Warteschlange
Informationen zum Produktionsstatus
Bewährte Stromausfallsicherung
Sicherheitsfunktionen – sicheres Löschen und RPMB

Detaillierte Information der Lebensdauer

 

 

Hohe Leistung bis HS400-Modus
Ausgeklügelte Verteilung der Schreibzugriffe und Lesestörungsmanagement
Seitenbasiertes FTL-Management
Informationen zum Produktionsstatus
Bewährte Stromausfallsicherung
Sicherheitsfunktionen – sicheres Löschen und RPMB

Detaillierte Information der Blocklösch-Zähler über das Extended CSD Register

 

Product Features

Data care management
Data Care Management

Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.

Life Time Monitoring (LTM)
Life time monitoring (LTM)

The Swissbit Life Time Monitoring feature enables users to access the memory device’s detailed Life Time Status and allows prediction of imminent failure, avoiding unexpected data loss. This feature uses an extended S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) interface or vendor-specific commands to retrieve the Flash product information.

Power Fail Protection & Recovery
Power fail protection

Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.

Write Amplification Factor
WAF reduction

The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.

Wear leveling
Wear leveling

Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.

Wide temperature support
Wide temperature support

Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).

M.2 PCIe BGA

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EN-20 / EN26 M.2 PCIe

  • PCIe M.2 1620 BGA
  • PCIe Gen 3.1 / NVMe 1.3, 2 Lanes
  • 391 Ball BGA; 0,8-mm-Raster 16 x 20 mm
  • 3D-NAND TLC / pSLC
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Datenpflegemanagement
  • Schutz vor Datenverlust bei Stromausfall
  • AES-256-Verschlüsselung
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Die EN-20 ist ein Produkt mit PCIe 3.1 / NVMe 1.3, DRAM-Support und einem Betriebsmodus mit bis zu 4 Lanes. Sie bietet sowohl eine hohe Leistung als auch eine kurze Latenz für zeitgemäße Anwendungen. Das Datenpflegemanagement mit adaptivem Read-Refresh und Medien-Scan im Hintergrund sorgt für die Stabilität der Flash-Blöcke und ermöglicht selbst bei geringer Schreibhäufigkeit eine lange Nutzungsdauer.

Bei höheren Lebensdauernaforderungen bietet sich die EN-26 mit 3D NAND pSLC Technologie an, die gegenüber der EN-20 eine 10-fach höhere Schreibmenge erlaubt.

Name der Produktreihe

 EN-20

E-26

Schnittstelle

Datenübertragungsmodus

PCIe 3.1
NVMe 1.3

Package

391 Ball BGA, Rastermaß 0,8 mm

Äußere Abmessungen

16 mm x 20 mm x 1,8 mm

Flash-Typ

3D NAND TLC

3D NAND pSLC

Angebotene Speicherdichten

 15 GB bis 480 GB 5 GB bis 160 GB

Datenstabilität

10 Jahre bei Beginn der Lebensdauer
1 Jahr bei Ende der Lebensdauer

Belastbarkeit

3.000 P/E-Zyklen pro Flash-Block

30.000 P/E-Zyklen pro Flash-Block

Betriebstemperatur

-40 °C bis +85 °C

Lagertemperatur

-40 °C bis +85 °C

Leistung

Sequentielles Lesen (MBit/s)

Sequentielles Schreiben (MBit/s)

Lesen verteilter Daten, 4 KB (IOPS)

Schreiben verteilter Daten, 4 KB (IOPS)

 

1.770

720

140.000

100.000

 

1.770

720

140.000

100.000

MTBF

3.000.000 Stunden

Spannungen

3,3 V / 1,8 V / 0,9 V

Stromverbrauch

Stromaufnahme beim Lesen: bis 2W

Stromaufnahme beim Schreiben: bis 1,3W

Idle: 350mW

PS4: 1.6mW

Stromaufnahme beim Lesen: bis 2W

Stromaufnahme beim Schreiben: bis 1,54W

Idle: 350mW

PS4: 1.6mW

Funktionen und Tools

Dynamische und statische Verteilung der Schreibzugriffe
Flash Translation Layer (FTL) im Seitenmodus
Datenpflegemanagement
Reduktion der Schreibverstärkung
Schutz vor Datenverlust bei Stromausfall
Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
System für Selbstüberwachung, Analyse und Statusmeldung (Advanced Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology, S.M.A.R.T.)
AES256-Verschlüsselung
HMB Unterstützung

 

Product Features

Data care management
Data Care Management

Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.

Life Time Monitoring (LTM)
Life time monitoring (LTM)

The Swissbit Life Time Monitoring feature enables users to access the memory device’s detailed Life Time Status and allows prediction of imminent failure, avoiding unexpected data loss. This feature uses an extended S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) interface or vendor-specific commands to retrieve the Flash product information.

Power Fail Protection & Recovery
Power fail protection

Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.

Secure erase
Secure erase (Sanitize / Purge) / Fast erase

This feature uses an uninterruptable sequence of data erase commands. Even a power off can’t stop the process, which will continue upon restoration of power. The optional enhanced feature allows the customer to sanitize the data according to different standards like DoD, NSA, IREC, etc. The purge algorithm can be started by a software command or through a hardware pin.

Temperature sensor
Temperature sensor

The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.

TRIM support
Trim support

The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.

Write Amplification Factor
WAF reduction

The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.

Wear leveling
Wear leveling

Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.

Wide temperature support
Wide temperature support

Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).