BGAs mit Managed NAND sind der kleinste Formfaktor, mit dem sich zuverlässige und schnittstellenfreundliche Datenspeicher in ein System integrieren lassen.
Swissbit bietet hierfür die e.MMC-Version EM-20 sowie eine neue BGA mit PCIe/NVMe an.
Die e.MMC EM-20/EM-26 erfüllt den Standard JEDEC 5.0 – ein zuverlässiges und beständiges Speichermedium mit einem wahrhaft industrietauglichen Betriebstemperaturbereich und einem detaillierten Lebensdauer-Monitoring.
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Name der Produktreihe |
EM-20 |
EM-26 |
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Schnittstelle Datenübertragungsmodus |
e.MMC 1-Bit, 4-Bit, 8-Bit bis zu HS400 |
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Package |
153 Ball BGA, Rastermaß 0,5 mm |
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Äußere Abmessungen |
11,5 mm x 13,0 mm x 1 mm |
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Flash-Typ |
MLC |
pSLC/erweiterter Modus |
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Angebotene Speicherdichten |
4 GB bis 64 GB |
2 GB bis 32 GB |
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Datenstabilität |
10 Jahre bei Beginn der Lebensdauer |
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Belastbarkeit |
3.000 P/E-Zyklen im MLC-Modus |
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Betriebstemperatur |
Industrie: -40 °C bis +85 °C |
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Lagertemperatur |
-40 °C bis +85 °C |
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Leistung
Sequentielles Lesen (MBit/s) Sequentielles Schreiben (MBit/s) Lesen verteilter Daten, 4 KB (IOPS) Schreiben verteilter Daten, 4 KB (IOPS) |
bis zu 175 bis zu 21 bis zu 3.800 bis zu 1.400 |
bis zu 240 bis zu 120 bis zu 6.700 bis zu 6.700 |
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MTBF |
20.000.000 Stunden |
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Spannung |
VCCQ: 1,70–1,95 V / 2,70–3,60 V; VCC: 2,70–3,60 |
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Stromverbrauch |
Stromstärke beim Lesen i. d. R.: 180 mA bei 1,8 V VCCQ, 38 mA bei 3,3 V VCC Stromstärke beim Schreiben i. d. R. 105 mA bei 1,8 V VCCQ, 80 mA bei 3,3 V VCC |
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Funktionen und Tools |
Hohe Leistung bis HS400-Modus |
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Teilenummer |
SFEMxxxGB1EA1TO-I-xx-111-STD |
SFEMxxxGB1EA1TO-I-xx-111-Exx |
Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.
The Swissbit Life Time Monitoring feature enables users to access the memory device’s detailed Life Time Status and allows prediction of imminent failure, avoiding unexpected data loss. This feature uses an extended S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) interface or vendor-specific commands to retrieve the Flash product information.
Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.
The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.
Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.
Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).
Die EN-20 ist ein Produkt mit PCIe 3.1 / NVMe 1.3, DRAM-Support und einem Betriebsmodus mit bis zu 4 Lanes. Sie bietet sowohl eine hohe Leistung als auch eine kurze Latenz für zeitgemäße Anwendungen. Das Datenpflegemanagement mit adaptivem Read-Refresh und Medien-Scan im Hintergrund sorgt für die Stabilität der Flash-Blöcke und ermöglicht selbst bei geringer Schreibhäufigkeit eine lange Nutzungsdauer.
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Name der Produktreihe |
EN-20 |
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Schnittstelle Datenübertragungsmodus |
PCIe 3.1 |
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Package |
391 Ball BGA, Rastermaß 0,8 mm |
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Äußere Abmessungen |
16 mm x 20 mm x 1,8 mm |
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Flash-Typ |
3D-NAND |
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Angebotene Speicherdichten |
15 GB bis 240 GB |
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Datenstabilität |
10 Jahre bei Beginn der Lebensdauer |
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Belastbarkeit |
3.000 P/E-Zyklen pro Flash-Block |
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Betriebstemperatur |
-40 °C bis +85 °C |
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Lagertemperatur |
-40 °C bis +85 °C |
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Leistung Burst-Rate Sequentielles Lesen (MBit/s) Sequentielles Schreiben (MBit/s) Lesen verteilter Daten, 4 KB (IOPS) Schreiben verteilter Daten, 4 KB (IOPS) |
1.600 650 120.000 150.000 |
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MTBF |
3.000.000 Stunden |
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Spannungen |
3,3 V / 1,8 V / 0,9 V |
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Stromverbrauch |
Stromstärke beim Lesen i. d. R.: noch festzulegen Stromstärke beim Schreiben i. d. R.: noch festzulegen |
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Funktionen und Tools |
Dynamische und statische Verteilung der Schreibzugriffe |
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Teilenummer |
SFENxxxxGBxEBxss-t-dd-rrr-ccc |
Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.
The Swissbit Life Time Monitoring feature enables users to access the memory device’s detailed Life Time Status and allows prediction of imminent failure, avoiding unexpected data loss. This feature uses an extended S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) interface or vendor-specific commands to retrieve the Flash product information.
Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.
This feature uses an uninterruptable sequence of data erase commands. Even a power off can’t stop the process, which will continue upon restoration of power. The optional enhanced feature allows the customer to sanitize the data according to different standards like DoD, NSA, IREC, etc. The purge algorithm can be started by a software command or through a hardware pin.
The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.
The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.
The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.
Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.
Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).
