CFast™ Cards

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CFast™-Karten kombinieren den Formfaktor von CompactFlash™-Karten (CF) mit einer Serial-ATA-Schnittstelle (SATA) in einem einzigen Produkt. CFast™-Karten können in Anwendungen, die kleine Formfaktoren, eine hohe Lebensdauer und Widerstandsfähigkeit gegen Stöße, Vibrationen, extreme Temperaturen (-40 °C bis +85 °C) und widrige Umgebungsbedingungen erfordern, sowohl HDDs als auch CompactFlash™-Karten ersetzen. Die CFast™-Karten von Swissbit sind ein robustes und leicht auswechselbares Speichermedium für eingebettete und industrielle Systeme. Das Produktangebot an CFast™-Karten deckt die gesamte Palette von einer hochperformanten F-600 mit High-Tech-SLC bis hin zu der 3D NAND TLC basierten F-80 mit optimiertem Preis-/Leistungsverhältnis ab. Das umfangreiche Swissbit CFast Portfolio deckt unterschiedliche Anwendungsanforderungen ab. Alle Serien sind reich ausgerüstet mit vielfältigen Funktionen und entsprechen den hohen Swissbit Qualitätsansprüchen.

Name der Produktreihe

F-800 F-86 / F-80 F-600 F-66 / F-60 F-56 / F-50 F-240

Schnittstelle

Datenübertragungsmodus

CFast™ 2.0 – SATA II – 3 Gbit/s
ATA8
CFast™ 2.0 – SATA III – 6 Gbit/s
ATA8
CFast™ 1.0 –SATA II – 3 Gbit/s
ATA7

Anschluss

CFast™ Type I

Äußere Abmessungen

36.4 x 42.8 x 3.6 mm

Flash-Typ

SLC 3D TLC / 3D pSLC SLC pSLC / MLC pSLC / MLC SLC

Angebotene Speicherdichten

2 GB-64 GB 10 GB - 160 GB /
32 GB - 512 GB
8 GB – 64 GB 4 GB – 120 GB /
8 GB - 240 GB
4 GB – 128 GB /
8 GB – 256 GB
2 GB – 64 GB

Status

Ramping Active EOL planned

Datenstabilität

10 Jahre bei Beginn der Lebensdauer
1 Jahr bei Ende der Lebensdauer

Belastbarkeit [DWPD]
JESD219 Client Workload

    33,8 13.2 / 1,98 7,98 / 1,50 max 2,63

Betriebstemperatur

Kommerziell: 0 °C bis +70 °C
Industrie: -40 °C bis +85 °C

Lagertemperatur

-40°C bis +100°C
Leistung
Sequentielles Lesen (MBit/s)
Sequentielles Schreiben (MBit/s)
Lesen verteilter Daten, 4 KB (IOPS)
Schreiben verteilter Daten, 4 KB (IOPS)
 
bis zu 280
bis zu 150
bis zu 10,5k
bis zu 7,3k
 
bis zu tbd / 360
bis zu tbd / 220
bis zu tbd / 15k
bis zu tbd / 9k
 
bis zu 520
bis zu 245
bis zu 76k
bis zu 54k
 
bis zu 520 / 520
bis zu 415 / 180
bis zu 80k / 72k
bis zu 75k / 43k
 
bis zu 510 / 500
bis zu 415 / 330
bis zu 32k / 53,5k
bis zu 66k / 74k
 
bis zu 120
bis zu 120
bis zu 3,2k
bis zu 75

MTBF

≥ 2.000.000 hours ≥ 2.500.000 hours

Stöße

500 G, 1 ms Dauer, Halbsinuswelle 1.500 G, 0.5 ms Dauer, Halbsinuswelle 500 G, 1 ms Dauer, Halbsinuswelle 500 G, 1 ms Dauer, Halbsinuswelle

Vibrationen

20 G, 80-2.000 Hz 50 G, 80-2.000 Hz 20 G, 80-2.000 Hz 20 G

Luftfeuchtigkeit

85 % relative Luftfeuchtigkeit bei 85 °C, 1.000 Stunden

Spannung

3.3 V ± 5 %

Stromverbrauch

Lesen (Aktiv)
Schreiben (Aktiv)
Ruhezustand
Slumber

 
1,2W
0,9W
200 mW
8 mW

   
1,6 W
2,4 W
347 mW
115 mW
 
1,4 W
1,8 W
380 mW
116 mW
 
1,2 W
2,1 W
248 mW
17 mW
 
Max 3,2 W

380 mW
PHYSLP < 80 mA

Funktionen und Tools

Bewährte Stromausfallsicherung
NCQ, TRIM
Hochentwickelte Verteilung der Schreibzugriffe und Verwaltung fehlerhafter Blöcke
Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
SBLTM-Tool und SDK für S.M.A.R.T.-basierte Lebenszeitüberwachung
AES Verschlüsselung / TCG Opal optional

Bewährte Stromausfallsicherung
DRAM unterstützte Flashverwaltung
NCQ, TRIM
Hochentwickelte Verteilung der Schreibzugriffe und Verwaltung fehlerhafter Blöcke
Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
SBLTM-Tool und SDK für S.M.A.R.T.-basierte Lebenszeitüberwachung
Bewährte Stromausfallsicherung
NCQ, TRIM
Hochentwickelte Verteilung der Schreibzugriffe und Verwaltung fehlerhafter Blöcke
Firmware-Aktualisierung am Einsatzort
SBLTM-Tool und SDK für S.M.A.R.T.-basierte Lebenszeitüberwachung
Bewährte Stromausfallsicherung
Ausgefeilte Verteilung der Schreibzugriffe und Verwaltung fehlerhafter Blöcke
Lesestörungsmanagement
TRIM
Niedriger Energieverbrauch
Sicherheitsfunktionen und SBZoneProtection verfügbar
SBLTM-Tool und SDK für S.M.A.R.T.-basierte Lebenszeitüberwachung

 

Product Features

Data care management
Data Care Management

Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.

Electrostatic discharge and electromagnetic interference
ESD and EMI safe

The product designs are in line with the latest regulations for electrostatic discharge and electromagnetic interference. Swissbit strives to exceed these limits with our own in-house technology and production capabilities, for example with System-in-Package (SiP) competence.

Life Time Monitoring (LTM)
Life time monitoring (LTM)

The Swissbit Life Time Monitoring feature enables users to access the memory device’s detailed Life Time Status and allows prediction of imminent failure, avoiding unexpected data loss. This feature uses an extended S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) interface or vendor-specific commands to retrieve the Flash product information.

Longevity
Longevity

The longevity product lines use special components with a long-term supply commitment of up to 10 years. These products offer lowest TCO in demanding applications with high requalification cost.

Power Fail Protection & Recovery
Power fail protection

Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.

Shock & Vibration
Shock and vibration

Robustness is one of our key specification targets. The design, assembly and use of selected materials guarantee an extremely solid design which has been validated by extensive testing.

Temperature sensor
Temperature sensor

The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.

TRIM support
Trim support

The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.

Write Amplification Factor
WAF reduction

The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.

Wear leveling
Wear leveling

Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.

Wide temperature support
Wide temperature support

Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).