Enterprise E1.S PCIe SSD
N5200 E1.S
- エンタープライズ SSD U.2 (15mm) および E1.S (5.9mm/9.5mm/15mm フォームファクター)
- PCIe Gen 4x4 レーン、NVMe 1.4 インターフェイスに準拠
- 容量: 1.92TB, 3.84TB, 7.68TB
- シーケンシャル転送速度(最大) : リード7,000 MB/s,ライト4,200 MB/s
- ランダム転送速度(最大) : リード1,350 kIOPS, ライト450 kIOPS
- 高耐久性 >1 DWPD ( JEDEC エンタープライズ ワークロード ,5年)
- 最大 128 のマルチネームスペース サポート
- Powersafe: 停電保護
- セキュリティ及び暗号化: TCG OPAL 2.01 / AES256
新製品 D1200シリーズ PCIe/NVMe SSDは、高性能フラッシュストレージソリューションにおける革新的な製品です。データセンター向けSSDは、データベース、データストレージ、クラウドコンピューティング、人工知能などのI/O集中型データセンターアプリケーションに、高い信頼性、究極のパフォーマンス、低消費電力が求めらけれます。シーケンシャルパフォーマンスおよびランダム書き込みパフォーマンスを向上させる拡張機能セットにより、データセンターでの運用に最高の効率が保証されます。
|
Series Name |
N5200 E1.S |
|
Standard & Interface |
PCIe Gen 4.0 / NVMe 1.4, x4 lanes |
|
Package |
E1.S |
| Connector |
SFF-TA-1006 E1.S |
|
Outline Dimensions (L x W x H) |
111.25mm x 33.7mm x max. 5.5/9.5/15mm |
|
Flash Type |
3D NAND eTLC |
|
Density Range |
1.92 TB, 3.84 TB, 7.68 TB |
|
Endurance [DWPD] |
1.5 for 5 years |
|
Operating Temperature |
0°C to +70°C |
|
Storage Temperature |
-40°C to +85°C |
|
Performance |
Sequential data rates of up to 7.100 MB/s read and 4,200 MB/s write (sustained)
|
|
Voltage |
VCC: 12V (+/-10%) |
|
Average Power |
14.5 W |
|
DRAM |
DDR4 DRAM |
|
MTBF |
> 2,500,000 hours |
|
Data Reliability |
< 1 sector per 10^17 bits |
| Features & Tools |
OCP NVMe Cloud SSD Specification 1.0 support |
M.2 PCIe SSD
N3000
- M.2 フォームファクタ 2280 & 2242
- PCIe Gen4 / NVMe 1.4 / 4 レーン
- 産業用 3D NAND TLC
- 動作保証温度 -40°C～85°C
- ハイパフォーマンス
- AES256 暗号化 / TCG Opal 2.0
- 暗号消去 / IEEE 1667
N3002
- M.2 フォームファクタ 2280
- Powersafe 耐電断機能
- PCIe Gen4 / NVMe 1.4 / 4 レーン
- 産業用 3D NAND TLC
- 動作保証温度 -40°C～85°C
- ハイパフォーマンス
- AES256 暗号化 / TCG Opal 2.0
- 暗号消去 / IEEE 1667
N3202
- M.2 フォームファクタ 2280
- Powersafe 耐電断機能
- PCIe Gen4 / NVMe 1.4 / 4 レーン
- 高耐久3D NAND TLC
- 動作保証温度 0°C～75°C
- ハイパフォーマンス
- AES256 暗号化 / TCG Opal 2.0
- 暗号消去 / IEEE 1667
N-30m2 (P) / N-36m2 (P)
- M.2 フォームファクタ 2280 & 2242
- Powersafe 耐電断機能(オプション:2280)
- PCIe Gen3 / NVMe 1.4 / 4 レーン
- 産業用 3D NAND TLC / pSLC
- 動作保証温度 -40°C～85°C
- ハイパフォーマンス
- AES256 暗号化 / TCG Opal 2.0
- フィールドファームウェア アップデート
N2000 / N2600
- M.2 フォームファクタ 2280～2230
- PCIe Gen3.1/NVMe 1.3 4 レーン
- 産業用 3D NAND TLC/SLC
- 動作保証温度 -40 ℃～85 ℃
- DRAM-less / HMB (Host Memory Buffer)
- AES256 暗号化 / TCG Opal
- フィールドファームウェアアップデート
N-20m2 / N-26m2
- M.2 フォームファクタ 2280～2230
- PCIe Gen3.1/NVMe 1.3 4 レーン
- 産業用 3D NAND TLC/SLC
- 動作保証温度 -40 ℃～85 ℃
- DRAM-less / HMB (Host Memory Buffer)
- AES256 暗号化 / TCG Opal
- フィールドファームウェアアップデート
NVMeプロトコルに対応したPCIeインターフェイスは、コンシューマ、エンタープライズ、および組み込みアプリケーションの新しい標準選定になりました。これらの3つのアプリケーションは全てが同じSSDアーキテクチャを使用していますが、個々の要件は大きく異なります。大容量と高速性能は、クライアントおよびエンタープライズアプリケーションにとって最も重要であり、市場でも取り上げられていますが、結果として生じる発熱は、組み込みアプリケーションにとって大きな課題となります。
新しいインターフェース規格を採用しながらも実際に装置で必要なストレージ容量は小容量の為、専用品が求められます。停電時のデータ損失に対する耐性は、組み込みアプリケーションおよびエンタープライズアプリケーションにとって重要な要件です。
産業および組み込み市場向けに、スイスビットは、HMB サポート、低消費電力、小型フォームファクターを備えた N-20m2 / N2000 と、powersafe™ ハードウェア電断保護機能を備えた高性能 N3002およびN-30m2 で、これらの様々なニーズに対応します。 これらのシリーズは熱管理とデータ管理、またセキュリティオプションを備えています。 どちらのシリーズも、耐久性が大幅に向上したpSLC製品も用意しています。N3202 powersafe™は、強力なSwissbit標準セットによるエンタープライズグレードの耐久性を必要とするNetComおよびエンタープライズアプリケーション向けに最適化されています。
|
Series Name |
N-20m2 / N-26m2 |
N-30m2 (P) / N-36m2 P |
N3000 |
N3002 / N3602 |
N3202 |
|
Standard & Interface |
PCIe 3.1 / NVMe 1.3 |
PCIe 3.1 / NVMe 1.4 |
PCIe 4.0 / NVMe 1.4 |
||
|
Package |
PCIe M.2 |
PCIe M.2 |
PCIe M.2 |
PCIe M.2 |
|
|
Connector |
75 pos. Edge Connector |
||||
|
Outline Dimensions |
80, 42, 30 x 22 x 3.5 mm | 80, 42 x 22 x 3.58 mm | 80 x 22 x 3.58 mm | ||
|
Flash Type |
3D NAND TLC / 3D NAND pSLC |
high endurance |
|||
|
Density Range |
TLC: 15 GB - 480 GB |
TLC: 240 GB – 3,840 GB pSLC: 80 GB – 320 GB |
TLC: 240 GB – 3,840 GB pSLC: 80 GB – 320 GB |
TLC: 240 GB – 3,840 GB | |
|
Data Retention |
10 years @ life begin |
3 years @ life begin |
|||
|
Endurance [DWPD] |
N-2x: max. 1.8 / 54 |
max. 1.34 / 36 |
max 1.34 |
max 1.34 / 15.3 |
max 1.5 DWPD |
|
Operating Temperature |
N-2x: |
Industrial: -40°C to +85°C |
Commercial: 0°C to +70°C |
||
|
Storage Temperature |
-40°C to +85°C |
||||
|
Performance Sequential Read (MB/s) |
up to 1,775 / 1,780 |
up to 3,500 / 3,500 up to 3,100 / 3,000 up to 380,000 / 380,000 up to 520,000 / 540,000 |
up to 3,850 / 3,850 |
up to 3,850 |
|
|
Voltage |
VCC: 2.70 – 3.60 |
||||
|
DRAM |
HMB support |
DRAM support |
DRAM support |
DRAM support |
|
| Features & Tools | Active and Passive Data Care Management AES 256 / E2E Data Path Protection FW Power Fail Data Loss Protection Active State Power Management (ASPM) Support TCG OPAL 2.0 Swissbit Device Manager (SBDM) Tool and SDK for SBDM(on request) |
||||
Features
Various effects like data retention, read disturb limits, or temperature can impact data reliability. The latest generation of Swissbit products use special methods to maintain and refresh the data for higher data integrity.
Intelligent Power Fail Protection and Recovery protects data from unexpected power loss. During an unintentional shutdown, firmware routines and an intelligent hardware architecture ensure that all system and user data will be stored to the NAND.
Products with the Swissbit powersafe feature use reliable tantalum capacitors to store energy so that in case of a sudden power fail the charge will be used to harden the cache content into the NAND flash.
In many industrial applications the data is written to the NAND Flash once and is only read afterwards. For such cases, the firmware can be optimized in order to guarantee the highest possible data retention and less read disturb.
Robustness is one of our key specification targets. The design, assembly and use of selected materials guarantee an extremely solid design which has been validated by extensive testing.
The sensor allows the host hardware or software to monitor the memory device temperature to improve data reliability in the target application environment.
The TRIM command allows the operating system to inform the SSD which blocks of data are no longer considered in use and can be wiped out internally, which increases system performance in following write accesses. With TRIM Support data scrap can be deleted in advance, which otherwise would slow down future write operations to the involved blocks.
The WAF (write amplification factor) for MLC-based products is reduced by combining a paged based FW block management with a powerful card architecture and configuration settings.
Sophisticated Wear Leveling and Bad Block Management ensure that Flash cells are sparingly and equally used in order to prolong life time of the device.
Swissbit‘s embedded memory and storage solutions are designed and approved for reliable operation over a wide temperature range. The products are verified at temperature corners and prestressed with a burn-in operating functional test (Test During Burn In – TDBI).